半导体泵浦激光原理实验装置_WGL-2

简要描述：WGL-2适用于大学近代物理教学中非线性光学实验，本实验以808nm半导体泵浦Nd:YVO4激光器为研究对象，让学生自己动手，调整激光器光路，产生1064nm激光。在腔中插入KPT晶体产生532nm倍频光，观察倍频现象，测量倍频效率，相位匹配角等基本参数。从而对激光原理及激光技术有一定了解。

产品型号：WGL-2
厂商性质：生产厂家
更新时间：2024-10-08
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仪器简介

　　WGL-2适用于大学近代物理教学中非线性光学实验，本实验以808nm半导体泵浦Nd:YVO4激光器为研究对象，让学生自己动手，调整激光器光路，产生1064nm激光。在腔中插入KPT警惕产生532nm倍频光，观察倍频现象，测量倍频效率，相位匹配角等基本参数。从而对激光原理及激光技术有一定了解。
　

成套性

光学导轨，二维调节架，四维调节架
泵浦光源 808nm半导体激光器
指示光源 632.8nm氦氖激光器
激光晶体 Nd:YVO4
倍频晶体 KTP
输出镜
光功率测试仪
红外显示卡
滤光片

技术参数

1．半导体激光器可调电源电流0～500mA

2．808nm半导体激光器 ≤500mW

连续输出功率P 0.5 W

中心波长 λ 808±10 nm

偏振 TE

工作温度 To 10～40℃

3．Nd：YVO₄ 晶体 3×3×1mm³

掺Nd浓度 0.1～3.0atm%

标准尺寸 3×3×1mm³

平面度＜λ/10 @632.8nm

镀膜 AR@1064nm，R＜0.1%，HT@808 nm，T＞90%

4．KTP倍频晶体 2×2×5mm³

透过波段： 0.35～4.5μm

电光系数： γ 33=36Pm/V

5．输出镜（前腔片） φ6 R=50mm

6．光功率指示仪 2μW～200mW 6挡

7．He-Ne激光器准直光源 632.8nm ≤1mW

8．红外显示卡可观察0.7~1.6um的近红外光

9．光学导轨 1000mm

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